RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
50
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.9
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
2938
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link