Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Различия

  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 17000
    Около 1.51% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 50
    Около -117% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17 left arrow 15.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.9 left arrow 10.9
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    50 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.3 left arrow 17.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.9 left arrow 12.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2512 left arrow 2938
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения