RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
44
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2654
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link