RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905625-152.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2919
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link