Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Gesamtnote
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Unterschiede

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
    Rund um 1.51% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    23 left arrow 50
    Rund um -117% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17 left arrow 15.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 10.9
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    50 left arrow 23
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.3 left arrow 17.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 12.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2512 left arrow 2938
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RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche