RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
66
Autour de -94% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.6
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
8.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2079
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link