RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
66
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2876
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link