RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
66
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
33
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2876
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link