RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de -144% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2173
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link