RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
66
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2173
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link