RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
66
Autour de -175% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2946
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link