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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
66
Intorno -175% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
24
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2946
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
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