RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
66
Autour de -175% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2196
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link