RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 14.9
    テスト平均値
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 66
    周辺 -175% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 1,557.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    2,775.5 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,557.9 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    382 left arrow 2196

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAMの比較

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
INTENSO 5641162 8GB
INTENSO 5641162 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
メモリRAM