RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
66
Autour de -136% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2648
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link