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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
57
66
Autour de -16% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
57
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2377
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
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