RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
66
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
57
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2377
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link