RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
46
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2936
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link