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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
66
Autour de -94% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2789
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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