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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
66
左右 -94% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
34
读取速度,GB/s
2,775.5
16.7
写入速度,GB/s
1,557.9
10.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2789
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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