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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
87
左右 -248% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
25
读取速度,GB/s
3,155.6
17.3
写入速度,GB/s
870.4
14.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3404
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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