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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
87
Por volta de -248% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
14.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3404
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
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