RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de -144% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2379
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link