RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2588
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link