RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3509
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link