RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
46
Autour de -21% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2988
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link