RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2756
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link