RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2756
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link