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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
4065
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
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