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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2196
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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