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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2196
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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