RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3593
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link