RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3593
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link