RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3372
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link