RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3372
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link