RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3859
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link