RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparez
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Note globale
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
79
Autour de -163% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
1,468.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
79
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,061.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,468.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
422
3106
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link