RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3033
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link