RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de -70% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3033
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link