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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Inmos + 256MB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Inmos + 256MB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Inmos + 256MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Inmos + 256MB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
16800
6400
Autour de 2.63 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
16800
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2318
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Inmos + 256MB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
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