RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Inmos + 256MB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Inmos + 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
46
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
2,061.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
6400
Por volta de 2.63 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
16800
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2318
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Inmos + 256MB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link