RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
46
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2284
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link