RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,077.3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
61
Autour de -74% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
2915
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link