RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
46
Autour de -7% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
43
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2532
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link