RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
46
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
43
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2532
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL9 Series-XP 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link