RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
59
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
6400
Autour de 3.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
59
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
23400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2382
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link