A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 59

Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 20.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 10.6

Среднее значение в тестах

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

Причины выбрать
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

23400 6400

Около 3.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 59
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 20.1
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 23400

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 2382

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB

Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB

модули RAM