RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.3
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
5.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
1740
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link