RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
2808
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link