RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3277
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston TSB1333D3S9SR8U/2G 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link