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AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparez
AMD AE34G1601U1 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Note globale
AMD AE34G1601U1 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD AE34G1601U1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
67
85
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.3
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.0
3.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
67
85
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
3.6
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
998
1118
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaison des RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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